場所の管理

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検出器の選択

 (R1.4)
・空間線量測定(≒1cm線量当量率),表面汚染
 電離箱式,GM式,NaIシンチレーション式などがある(感度順)
 NaIシンチレーション式は低エネルギー光子には不向き

β線:GM管
低エネルギーβ線(3H):ガスフロー型薄窓型比例計数管
α線:ZnSシンチ式,半導体
125I:薄型NaIシンチ式サーベイメータ(エネルギー補償がしてある)

1,サーベイメータ
持ち運び

2,フロア(エリア)モニタ
固定して広範囲を持続的に測定する用

・液体の測定
γ線:容器に入れてGe半導体,NaIシンチ
β線:液体シンチレータ

・手足の汚染
ハンドフットクロスモニタ

・α線の検出 

 放射能測定エネルギー測定
シリコン表面障壁型半導体検出器(SSBD)可能可能
4πガスフロー比例計数管可能 
ZnS(Ag) CsI(Tl) 無機シンチレータ可能可能
液体シンチレータ可能可能
グリッド付電離箱可能
固体飛程検出器可能
イメージングプレート×
フィルムバッチ×

水中の放射性核種の濃度測定

(R2.4,R1.4)

(1)測定法

・排水を直接
液体・プラスチックシンチレータ(最適)」や
GM計測管」で測定する方法

・サンプリングした試料を
ウェル型シンチレーション」や
液体シンチレーション」で測定する方法

・イオン交換樹脂でRIを吸着して測定する方法

(2)希釈法による排水 

 放射能が排水中の濃度限度を下回るようにする
 また複数の核種が存在する場合,各核種の濃度と濃度限度の比を足し合わせ,この総和が1を下回るようにする

表面汚染の濃度測定

(R2.4,R1.2)

(1)汚染の種類

固着性汚染」と「遊離性汚染
 遊離性汚染は体内汚染につながる恐れがある

(2)測定法

・直接法 (R3.1)
 固着・遊離性汚染に有効
 サーベイメータによって汚染表面を直接測定する
 表面汚染密度(N-Nb)÷ (ε1×W×εs)
N:測定した計数率 
Nb:バックグラウンドの計数率
ε1:検出効率  
W:測定器の有効面積
εs:汚染の線源効率

*サーベイ時定数が長い場合,よりゆっくり走査を行わないと検出能が下がる
(時定数の3倍で約95%)

*直接法は以下の場合には適用できない
線源自体の汚染」 
高バックグラウンドでの汚染

・間接法(スミア法)
 遊離性汚染かつ,ふき取り表面が非浸透性の場合に有効
 表面汚染個所をろ紙で拭き,このろ紙を測定する
 表面汚染密度=(N-Nb)÷(ε1×F×S×εs)
F:ふき取り効率  
S:ふき取り面積(100cm2)
 α線,β線も測定可能

(3)表面汚染限度

 (R3.15(法令))
 α線放出核種:4Bq/cm2   
非α線放出核種:40Bq/cm2

空中の放射性核種の濃度測定

 (R2.4,R2.31(化学),R1.3)
・粒状性放射性物質の測定
 ろ紙とダストサンプラが合わさったダストモニタを使用する

・放射性ヨウ素の測定
 活性炭カートリッジを使用する

・ガス状放射性物質の測定
 プラスチックシンチレータ,NaI(Tl)で検出

・トリチウムの測定
 コールドトラップによる水蒸気凝縮
 モレキュラーシーブまたはシリカゲルでの捕集
 水にバブルして捕集し,液体シンチレータで計測

・水上置換法 
(R2.19(化学))
 水に溶けにくい気体の捕集に用いる

*バックグラウンドの影響
:ダストを捕集して測定する場合,ラドン,トロンの影響がある

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