場所の管理

検出器の選択

(R5.2, R5.25(物理).27(物理), R4.2, R4.29(物理), R4.18(化学), R1.4)
・空間線量測定(≒1cm線量当量率),表面汚染
　電離箱式,GM式,NaIシンチレーション式などがある(感度順)
　NaIシンチレーション式は低エネルギー光子には不向き

γ線(中・高線量域)：電離箱式サーベイメータ
¹²⁵I(低線量域)：薄型NaIシンチ式サーベイメータ(エネルギー補償有)

β線：GM管式
低エネルギーβ線(³H)：ガスフロー型薄窓型比例計数管式

α線：ZnSシンチ式,半導体式

熱中性子：BF₃,³He比例計数管

*サーベイメータ：持ち運び用

*フロア(エリア)モニタ：固定して広範囲を持続的に測定する用

・液体の測定
γ線：容器に入れてGe半導体,NaIシンチ式
β線：液体シンチレータ

・手足の汚染
ハンドフットクロスモニタ

・α線の検出　

(R5.4, R2.4,R1.4)

・排水を直接
「液体・プラスチックシンチレータ(最適)」や
「GM計測管」で測定する方法

・サンプリングした試料を
「ウェル型シンチレーション」や
「液体シンチレーション」で測定する方法

・イオン交換樹脂でRIを吸着して測定する方法

　放射能が排水中の濃度限度を下回るようにする
　また複数の核種が存在する場合,各核種の濃度と濃度限度の比を足し合わせ,この総和が1を下回るようにする

(R5.1, R4.3, R2.4, R1.2)

「固着性汚染」と「遊離性汚染」
　遊離性汚染は体内汚染につながる恐れがある

・直接法　(R3.1)
　固着・遊離性汚染に有効
　サーベイメータによって汚染表面を直接測定する
　表面汚染密度＝(N－Nb)÷ (ε₁×W×ε_s)
N：測定した計数率　
Nb：バックグラウンドの計数率
ε₁：検出効率　　
W：測定器の有効面積
ε_s：汚染の線源効率

*サーベイ時定数が長い場合,よりゆっくり走査を行わないと検出能が下がる
(時定数の3倍で約95%)

*直接法は以下の場合には適用できない
「線源自体の汚染」　
「高バックグラウンドでの汚染」
「低エネルギーβ線核種の汚染」

・間接法(スミア法)
　遊離性汚染かつ,ふき取り表面が非浸透性の場合に有効
　表面汚染個所をろ紙で拭き,このろ紙を測定する
　表面汚染密度＝(N－Nb)÷(ε₁×F×S×ε_s)
F：ふき取り効率　　
S：ふき取り面積(100cm²)
　α線,β線も測定可能

　(R2.4,R2.31(化学),R1.3)
・粒状性放射性物質の測定
　ろ紙とダストサンプラが合わさったダストモニタを使用する

・放射性ヨウ素の測定
　活性炭カートリッジを使用する

・ガス状放射性物質の測定
　プラスチックシンチレータ,NaI(Tl)で検出

・トリチウムの測定
　コールドトラップによる水蒸気凝縮
　モレキュラーシーブまたはシリカゲルでの捕集
　水にバブルして捕集し,液体シンチレータで計測

・水上置換法　
(R2.19(化学))
　水に溶けにくい気体の捕集に用いる

*バックグラウンドの影響
：ダストを捕集して測定する場合,ラドン,トロンの影響がある

法令における場所の測定に関してはこちら↓
「対策ノート：義務（測定-健康診断-緊急措置）」